NBD-PECVD1200-80TI PECVD等离子体化学气相沉积系统

NBD-PECVD1200-80TI PECVD等离子体化学气相沉积系统

产品型号:NBD-PECVD1200-80TI

负责人:周贝贝

QQ:707171058

手机:13526881466

产品详情

设备简介:

该产品是由固态等离子源、气体质子流量控制系统、衬底控温系统、真空系统组成,采用集中总线控制技术的操作软件。适用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积,同时可实现TEOS源沉积,SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料,适合于有机材料上保护层膜和温度下无损伤钝化膜的沉积。

配置详情:


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1. 清洗镀膜一气呵成,杜绝二次污染;

2. 上开启式结构,方便观察试样;

3. 产品采用全自动控制方式,触摸屏,数字化显示;

4. 设备一体化程度高; 

5. 射频电源,均匀的温度分布,提高成膜质量;

产品型号

NBD-PECVD1200-80TI

电气规格

AC220V    4KW

可达温度

1200 ℃

连续温度

1150 ℃

可达加热速率

≤  20 ℃/分钟

射频电源

500W   13.56MHz

炉管尺寸

Φ80*1200mm

沉积示意图




 


如图所示:此为该设备沉积过程中的示意图

控制系统


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1.NBD-101EP嵌入式操作系统中英文互换图形界面,7寸真彩触屏输入,智能式人机对话模式,实时加热功率显示,非线性式样温度修正;实验报告自主生成,实验数据无限次导出。

2.实验过程直观,操作便捷;

3.具有超温报警、断偶提示、漏电保护等功能。

温度精度

+/- 1 ℃

加热元件



 


Mo掺杂的Fe-Cr-Al合金

密封系统

 

 

 

真空度:≤10Pa(机械泵)

压力测量与监控



          

 


采用数显真空计,可使设备真空度直观,实验结果准确。

供气系统


          



采用两路质子流量计准确控制气体流速,与设备集成为一体;

净重

360KG

设备使用注意事项


1. 设备炉膛温度≥300℃时,禁止打开炉膛,避免受到伤害;

2. 设备使用时,炉管内压力不得超过0.125MPa,以防止压力过大造成设备损坏;

3. 真空下使用时,设备使用温度不得超过800℃。

4. 供气钢瓶内部气压较高,向炉管内通入气体时,气瓶上须安装减压阀,建议在选购试验用小压力减压阀,减压阀量程为0.01MPa-0.15MPa,使用时会准确安全。

5.当炉体温度高于1000℃时,炉管内不可处于真空状态,炉管内的气压需和大气压 相当,保持在常压状态;

6.高纯石英管的长时间使用温度≦1100℃

7.加热的实验时,不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热,则需时刻关注压力表的示数,若气压表示数大于0.02MPa,须立刻打开排气端阀门,以防意外发生(如炉 管破裂,法兰飞出等)




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