EMPro***型多入射角激光椭偏仪

MPro是针对高端研发和质量控制领域推出的型多入射角激光椭偏仪。
EMPro可在单入射角度或多入射角度下进行高精度、高准确性测量。可用于测量单层或多层纳米薄膜样品的膜层厚度、折射率n和消光系数k；也可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；亦可用于实时测量快速变化的纳米薄膜动态生长中膜层的厚度、折射率n和消光系数k。多入射角度设计实现了纳米薄膜的相对厚度测量。
EMPro采用了量拓科技多项技术。
特点：
原子层量的灵敏度
采样方法、高稳定的核心器件、高质量的制造工艺实现并保证了能够测量原子层量的极薄纳米薄膜，膜厚精度达到0.01nm，折射率精度达到0.0001。
百毫秒量的快速测量
水准的仪器设计，在保证精度和准确度的同时，可在几百毫秒内快速完成一次测量，可满足单原子膜层生长的实时测量。
简单方便的仪器操作
用户只需一个按钮即可完成复杂的材料测量和分析过程，数据一键导出。丰富的模型库、材料库方便用户进行高测量设置。
应用：
EMPro适合于高精度要求的科研和工业产品环境中的新品研发或质量控制。
EMPro可用于测量单层或多层纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k；可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；可用于实时测量快速变化的纳米薄膜的厚度、折射率n和消光系数k。
EMPro可应用的纳米薄膜领域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。可应用的块状材料领域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。

技术指标：

 

项目	技术指标
仪器型号	EMPro31
激光波长	632.8nm (He-Ne Laser)
膜厚测量重复性（1）	0.01nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)
折射率测量重复性(1)	1x10-4 (对于Si基底上100nm的SiO2膜层)
单次测量时间	与测量设置相关，典型0.6s
结构	PSCA（Δ在0°或180°附近时也具有的准确度）
激光光束直径	1mm
入射角度	40°-90°可手动调节，步进5°
样品方位调整	Z轴高度调节：±6.5mm 二维俯仰调节：±4° 样品对准：光学自准直和显微对准系统
样品台尺寸	平面样品直径可达Φ170mm
大的膜层范围	透明薄膜可达4000nm 吸收薄膜则与材料性质相关
大外形尺寸	887 x 332 x 552mm (入射角为90º时)
仪器重量（净重）	25Kg
选配件	水平XY轴调节平移台 真空吸附泵
软件	ETEM软件： l 中英文界面可选； l 多个预设项目供快捷操作使用； l 单角度测量/多角度测量操作和数据拟合； l 方便的数据显示、编辑和输出 l 丰富的模型和材料数据库支持

   注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量25次所计算的标准差。
性能保证：
高稳定性的He-Ne激光光源、采样方法以及低噪声探测技术，保证了高稳定性和高准确度
高精度的光学自准直系统，保证了快速、高精度的样品方位对准
稳定的结构设计、可靠的样品方位对准，结合采样技术，保证了快速、稳定测量
分立式的多入射角选择，可应用于复杂样品的折射率和相对厚度的测量
一体化集成式的仪器结构设计，使得系统操作简单、整体稳定性提高，并节省空间
一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库，方便用户使用
 准确度测试：
在入射角40°~85°范围内对Si基底上SiO2薄膜样品椭偏角Psi和Delta测量值和理论拟合值如下图所示：

可选配件：
 NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片
 NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片
 VP01真空吸附泵
 VP02真空吸附泵
 样品池